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台积电和ARM合作范围扩展至20纳米制程以下

   时间:2012-07-24 09:53:37 来源:搜狐IT编辑:星辉 发表评论无障碍通道

7月24日消息,昨日,半导体代工厂台积电和ARM达成一项多年期的合作协议,双方合作的范围将延续至20纳米制程以下。

ARM官方表示,双方技术合作的目的,是让ARM芯片可运用于FinFET (鳍式场效晶体管)上,让芯片设计商能继续拓展其在应用处理器上的优势。

ARM官方认为,双方的合作将能为ARMv8架构下的新一世代4位ARM处理器、ARM ArtisanR实体IP、以及台积电的FinFET制程技术进行优化,以便应用于要求高性能和节能兼备的移动便携市场以及企业市场。

据悉,借助这项技术合作方案,ARM将能以制程信息,设计效能、体积、功率的优化完整方案,降低风险。而台积电则能借助ARM的最新处理器和技术,为FinFET制程技术制定基准点并且优化。

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