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手机再瘦身有望 三星推出全球首款10nm SRAM

   时间:2015-11-20 09:54:32 来源:凤凰科技编辑:星辉 发表评论无障碍通道

三星抢先推出全球首款10nm SRAM

北京时间11月20日消息,据科技网站TechRadar报道,三星推出了世界上首款10nm FinFET工艺的SRAM,全面逆袭老对手台积电和英特尔。SRAM即静态随机存取存储器,比我们常见的DRAM(动态随机存取存储器)更快,常用于CPU缓存等,也是研发测试新工艺的必经前提步骤。

三星推出了世界上首款基于10nm FinFET工艺的SRAM,为未来手机SoC进一步瘦身打下了重要基础。

这个新闻对三星的老对手们来说可谓是晴天霹雳,因为就像ETNews报道的,10nm FinFET技术的SRAM让三星站上了新的台阶,不但超越了老对手台积电,更是完成了对业界超级巨头英特尔的逆袭(由于成本过高,英特尔已将自家10nm芯片的量产计划推迟到2017年)。

三星的这款SRAM将用于制造处理器高速缓存,FinFET技术的加持还可让其体积比上代的14nm SRAM缩小37.5%。此外,在性能表现和功耗上,新的技术也会带来更好的效果,手机的续航也会有一定的增长,而这些都是消费者们喜闻乐见的。

三星预计将于2016年底开始大规模量产10nm的SRAM,正好可以赶上年初的新旗舰Galaxy S8,至于10nm的威力到底有多强,让我们拭目以待吧。

爆发式成长

三星在芯片研发上可是卯足了吃奶的劲,今年9月该公司还在硅谷设立了一个新的总部,专攻半导体和屏幕方面的研发。

三星电子CEO权五铉(Oh-Hyun Kwon)表示:“新总部的设立为未来三星的爆发式成长打下了坚实的基础。”

希望三星的一系列大动作能唤醒那些半睡不醒的对手,这样半导体业界才能有好戏看嘛!

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