前些天，著名的爆料人@i冰宇宙为我们总结了下一代三星S8的几大看点，后置双摄像头、4K屏幕以及双版本都是曲面屏、新的处理器等等。不过最让人期待的是S8的新处理器，毕竟手机处理器是衡量手机性能的基本。
三星发表的声明(图片源于网络)
近日，三星电子宣布已经开始采用10nm FinFET工艺量产逻辑芯片，三星也成为了业内首家大规模采用10纳米工艺的厂商。前段时间，韩国《电子时报》报道，高通的下一代旗舰处理器高通骁龙830(或835)将采用三星10nm工艺独家制造，作为交换，拿下高通骁龙830(或835)全部订单，三星要在Galaxy S8的大部分手机上采用骁龙830（或835）。
三星表示，用10nm量产的芯片将会用在明年上市的设备里，很显然下一代的Galaxy S8将会率先使用。三星还表示，相比14nm工艺，10nm工艺制造的芯片性能提升27%，同时功耗降低达40%，并且10nm工艺允许每个晶圆多制造30%的芯片。目前三星正在使用第一代10nm工艺量产芯片，并声称明年上市的产品能够用上第二代的芯片。
工人在制作芯片(图片源于网络)
三星电子代理业务部执行副总裁Jong Shik Yoon表示：“业界首批大规模生产10nm FinFET技术产品，证明了我们在先进工艺技术方面的领先地位，并表示公司将继续推进缩放技术。”三星在去年的时候开始采用14nm工艺量产芯片，在今年使用了第二代改进版的14nm工艺，主要合作厂商是高通。根据之前的报道，台积电将于今年年底开始采用10nm工艺量产芯片。
三星S8渲染图(图片源于网络)
根据有关人士的爆料，Galaxy S8有可能要去掉Home键，让手机的正面面板成为一体的屏幕，这样的话极大程度地美化了S8的正面。而三星将会把S8屏幕四个边缘都换上曲面屏，此外，还有消息人士称，三星电子计划将于2017年2月26日在巴塞罗那的MWC17上发布Galaxy S8，另外除了曝光的这些消息，该机在外观设计也可能会有较大的变化。
