三星在晶元芯片领域一直都处于世界的领先地位，而现在这家韩国巨头又正式宣布开始量产业界首款8GB LPDDR4 DRAM芯片，同样为10nm工艺制造，数据传输速度则高达4266Mbps，是目前标准PC DDR4运行速度的两倍，能够让移动设备实现更流畅的虚拟机运行、4K视频回放等功能。同时由于三星官方高层表示，不久之后就会看到8GB内存出现在各家的旗舰手机上，所以在三星Note 7出师未捷身先死的情况下，或许三星下代旗舰GALAXY S8上能够见到这款8GB内存芯片的身影。
量产8GB内存芯片
按照韩国媒体的报道称，三星已经正式宣布量产业内首款8GB LPDDR4移动DRAM芯片，不仅采用了先进的10nm级制造工艺，而且由四颗最新16Gb颗粒封装在一起，尺寸则小于15mmx15mmx1.0mm，不仅满足了大多数新型超薄移动设备的空间需求，而且还可以实现和UFS芯片或处理器封装堆叠在一起，从节省印刷电路板的空间。
同时三星这款8GB LPDDR4芯片的速度高达4266Mbps，要比当前PC所用的DDR4 DRAM典型值2133 Mbps快两倍左右。而如果按照64bit位宽计算，那么每秒可传输的数据则为34GB。为此，三星方面则表示8GB LPDDR4内存是为未来的4K录制和VR播放而打造的，将会应用到高性能移动设备和超薄笔记本上。
GALAXY S8或将搭载
而根据三星半导体执行副总裁Joo Sun Choi的说法，不久之后就会看到8GB内存出现在各家的旗舰手机上。尽管现在尚不清楚到底那家公司会率先使用这款8GB内存芯片，但考虑到三星今年的重磅产品GALAXY Note 7已经是“出师未捷身先死”，所以外界普遍推测急于挽回颓势的三星有可能会在下代旗舰GALAXY S8上配备这块8GB内存芯片。
据悉，三星在去年八月份三星推出了业界首个12Gb LPDDR4内存颗粒，使得6GB RAM手机开始在市面上陆续出现。而随着此次三星8GB LPDDR4芯片的量产，以及高通骁龙821/653处理器对8GB内存的支持，相信应该很快就便有手机厂商陆续跟进，预计在明年将会有不少配备8GB内存智能手机悉数登场。
传S8配LG电池
顺便一提的是，尽管三星方面要求供应商对GALAXY S8的相关信息严格保密，但根据国外媒体Maeil Business的报道称，三星正在为GALAXY S8寻找新的电池供应商，而LG则已经与三星开始进行会谈。
虽然消息的真实性尚未得到证实，但三星此举或许并不让人感到意外，毕竟Note 7的电池爆炸事件让三星蒙受了巨大的损失，所以自然希望在下代旗舰GALAXY S8推出的时候，与此前的电池供应商STI和ATL撇清关系。因为对于三星而言，试图作为翻身之作推出的GALAXY S8已经容不得半点有失。
