高通正研发骁龙845：明年用于三星S9，制程更激进

骁龙835首次将移动平台带入10纳米新世代，让移动平台兼有低功耗与高性能计算的特性，而高通、三星并未放缓IC设计和制程迭代的速度。

据韩媒Aju Business Daily报道，高通正和三星半导体S.LSI部门开发新一代移动芯片，将用于明年旗舰机Galaxy S9之上，该处理器平台很有可能被命名为骁龙845。

4月19日，三星半导体宣布其第二代10nm FinFET工艺——10LPP(Low Power Plus)即将投产。随着3D FinFET结构的进一步增强，与相同面积的第一代10LPE(Low Power Early)相比，10LPP工艺最高可以提升10%的性能或降低15%的功耗。

有分析认为，骁龙845很可能使用比10nm更激进的工艺制造，理由是三星半导体在3月15日宣布将8nm和6nm制程添加到产品路线规划中(roadmap)。预计新制程将在2018年初量产，符合骁龙845的上市节点。

高通和三星半导体已有长达十年的战略代工合作，不过双方未来的合作关系并不如想象中那般明朗。据知名爆料人士@i冰宇宙消息，高通和三星代工合作骁龙845为止就告一段落了。