电影大片《速度与激情8》诠释了——开快车易脱发，七大主演中四个光头的场面让人捧腹。在消费电子领域，同样上演着速度与金钱的博弈。
相比消费者熟知的摩尔定律，定义计算机几十年的冯·诺依曼结构更加不可撼动。为了填补处理器与硬盘的速度差距，我们用上了高速缓存、运行内存等不同存储介质。
随着存储行业快速的技术迭代，LPDDR4X、UFS2.1等产品纷纷面市。据外媒Patently Apple消息，MRAM有望真正商业化，取代DRAM和NAND Flash，具有颠覆性意义。
什么是MRAM
MRAM(Magnetoresistive random-access memory)即磁阻式随机存储器，介于DRAM和NAND Flash之间。相比于DRAM，它具有非易失性;相比于NAND Flash，它的速度快上1000倍。
三星在去年7月联合IBM展示了用于服务器、数据中心的MRAM，并计划在5月24日的晶圆厂论坛活动中公布全新的MRAM。三星加入了自旋转矩技术(STT)，可以加大降低功耗。
MRAM的应用前景
由于兼具DRAM和NAND Flash的特性，MRAM被认为是一种通用型存储器，能够让手机实现内存/闪存二合一。据外媒phonearena报道，三星目前无法生产出超过几兆字节MRAM，因此MRAM目前只适用于作为处理器的高速缓存。
不过，我们依然看好MRAM的应用前景。据知名爆料人士@i冰宇宙消息，未来MRAM将具备更大容量，作为闪存和内存二合一的存储体，上市节点可能在2020年以后。
如果这一愿景成真，那么我们无需区分RAM和ROM，逆天的512G/1TB内存不再是梦想。冯·诺伊曼结构将面临前所未有的挑战，未来还真是让人期待呢。
