据科技博客9to5mac北京时间7月6日报道，苹果公司供应商在为2017年iPhone系列手机生产新存储芯片上显然遇到了麻烦。苹果今年预计会推出三款新iPhone，包括一款经过全新设计的iPhone 8和两款升级版iPhone 7s。
来自《电子时报》的消息称，SK海力士和东芝公司的3D NAND技术良率低于预期，导致他们为今年iPhone系列手机供应的芯片减少，供需缺口高达30%。
苹果转而寻求三星的帮助，为今年的新iPhone供应更多3D NAND闪存芯片，因为三星的3D NAND技术良率相对稳定，而且已经扩大了3D NAND芯片的产能。
NAND是在iPhone中用于存储非易失性数据的芯片，相当于移动版的硬盘或固态硬盘。3D NAND则是把存储单元逐层堆叠在一起，确保在相同物理空间内存储更多信息。
苹果从iPhone 7开始使用3D NAND芯片，但是该芯片的生产依旧不够成熟。今年的iPhone超级周期如此重要，显然苹果不会为这个技术瓶颈冒险。在iPhone 7中，NAND芯片有48层。iPhone 8中使用的NAND芯片据称有64层，能够在相同空间存储更多数据。
消息称，Android手机制造商也在准备推出新款旗舰设备。由于许多主要NAND闪存供应商的3D NAND技术良率依旧令人失望，全球NAND闪存芯片供应吃紧的局面预计将会持续到2017年年底。三星、东芝以及美光科技正在向64层3D NAND闪存芯片过渡，SK海力士则计划直接供应72层3D NAND闪存芯片。
苹果预计会为今年推出的iPhone机型提供两种NAND存储空间：64GB和256GB。不过，即便是全球NAND闪存生产遇阻，其他厂商遭遇供应受限的问题，但苹果依旧有资金实力确保稳定供应。
