3 月 17 日，三星通过官方新闻室发布消息称，512GB 规格的 eUFS 3.1 存储芯片已经进入大规模量产阶段。根据三星官方给出的对比数据，eUFS 3.1 相比 3.0 版本在顺序读取速度上并没有多大变化，但顺序写入速度从 3.0 版本的 410MB/s 提升至 1200MB/s，随机读写性能则提升至此前的 1.6 倍。
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3 月 17 日，三星通过官方新闻室发布消息称，512GB 规格的 eUFS 3.1 存储芯片已经进入大规模量产阶段。根据三星官方给出的对比数据，eUFS 3.1 相比 3.0 版本在顺序读取速度上并没有多大变化，但顺序写入速度从 3.0 版本的 410MB/s 提升至 1200MB/s，随机读写性能则提升至此前的 1.6 倍。
