半导体行业发展的一大推动力，就是“始终连接设备”的爆发式增长。这些设备需要内置的芯片，才能完成相应的计算、通信或控制。随着物联网（IoT）扩展到数十亿计的设备，芯片制造商也需要为客户开发出兼顾成本效益的低功耗工艺节点，以将之推向一个全新的水平。在 2020 年度的技术研讨会上，台积电就公布了该公司最新的 N12e 工艺节点的细节。
(来自：TSMC)
由路线图可知，台积电的低电功耗、低泄漏平台，主要围绕流行工艺节点进行技术优化。过去十年，台积电在 90nm、55nm、40nm 和 22nm 节点上，都有推出过相应的低功耗版本。
每一次的迭代，都可带来管芯面积和功耗的降低，以及针对特定需求的其它优化。不同的是，此前的技术都是在平面上展开，而新一代 N12e 工艺却基于面向未来的 FinFET 。
在类似的情况下，FinFET 的构建工作，将较平面晶体管要复杂得多，成本的上升已是必然。不过在 FinFET 技术带来的制程缩放和功耗控制的优势面前，市场仍对其抱有浓厚的兴趣。
为求稳妥，台积电也没有在很早的时候就推出 FinFET 。而是在等待了数代之后，才将其最先进的 FinFET 设计部署到了 IoT 市场，以便行业有足够的时间来应对设计制造上的过渡缓冲。
与 22ULL 工艺节点相比，台积电承诺 N12e 可在同等功耗水平下将频率提升至 1.49 倍、或将同频下的功耗降低 55%，更别提增加了 1.76 倍的逻辑密度、以及支持 0.4V 的低电压。
换言之，N12e 将台积电面向 IoT 产品的芯片制程扩展到了更低的功率范围，并且在其它功率水平下也可带来更好的性能表现。
其汇聚了台积电在 16nm 工艺上积累的经验、并融入了 12FFC+ 的改进，两者均已被广泛应用于高性能计算。
台积电相信，N12e 将为 AI 加速器提供低功耗支撑，让下一代 5G IoT 边缘设备更加普及，从而推动语音识别、健康监测、机器视觉等领域的发展。
最后，格罗方德的 12FDX 平台，将成为 N12e 的主要竞争对手。前者建立在该公司的 12nm FD-SOI 技术之上，较同级 FinFET 设计具有更低的功耗和成本。
