据外媒报道，三星宣布3nm工艺技术已正式发流片。据报道，三星的3mm工艺采用GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。
报告称，三星在3纳米工艺中的流片进展是与新思科技合作完成的，旨在加快为GAA架构的生产工艺提供高度优化的参考方法。三星的3nm工艺采用GAA结构，而不是台积电或英特尔采用的FinFET结构。因此，三星采用新思科技的 Fusion Design Platform。
在技术性能方面，基于GAA架构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，可以满足一定栅极宽度的要求。这主要表现在相同尺寸的结构下，GAA的沟道控制能力增强，为尺寸的进一步微缩提供了可能。
