据科技网站 elchapuzas 报道，投行摩根斯坦利日前走访半导体设备供应商，得知台积电即将完成其改进版 3 纳米工艺 N3E 的开发，最早将于本月底实现工艺规范冻结，基于 N3E 工艺的产品大规模量产或将在 2023 年第二季度实现，较此前规划提早一个季度。
其他信息还包括：N3E 工艺试产良率远高于 N3B，在减少 4 层 EUV 掩膜的情况下，逻辑电路密度仅较原先的 N3 工艺下降 8%，较 5 纳米节点仍有 60% 的提升。
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据科技网站 elchapuzas 报道，投行摩根斯坦利日前走访半导体设备供应商，得知台积电即将完成其改进版 3 纳米工艺 N3E 的开发，最早将于本月底实现工艺规范冻结，基于 N3E 工艺的产品大规模量产或将在 2023 年第二季度实现，较此前规划提早一个季度。
其他信息还包括：N3E 工艺试产良率远高于 N3B，在减少 4 层 EUV 掩膜的情况下，逻辑电路密度仅较原先的 N3 工艺下降 8%，较 5 纳米节点仍有 60% 的提升。
