【网界科技】3月13日消息，三星电子近日公布的《三星电子事业报告书》显示，三星将于今年上半年开始量产基于第三代 4 纳米工艺的芯片。该芯片将解决早期阶段的良率问题，提升性能、功耗和面积。
此次公布是三星首次提及第三代 4 纳米芯片的具体量产时间。相比早期版本 SF4E，第二代和第三代芯片表现出更好的性能、更低的功耗和更小的面积。
据业内人士估计，三星电子目前的 4 纳米工艺良率可达到 60%，相较于同类型的台积电的 70~80%还有一定差距。不过，专家认为三星电子的良品率正在迅速提高，后续产品的量产也在加快。
据网界科技了解，尽管目前最先进的半导体工艺是 3 纳米级别，但台积电和三星电子的主要产品仍然是 4 纳米和 5 纳米。据市场研究公司 Counterpoint Research 的数据，去年第三季度，4 纳米和 5 纳米工艺占销售额占比最高，达到了 22%。而 6 纳米和 7 纳米工艺的销售额占比为 16%。
值得注意的是，三星电子在早期版本 SF4E 芯片实现商用后，曾遇到一系列的芯片产量管理问题，最终因为能耗表现不佳和产能限制，将大客户高通拱手让给了台积电。但专家们认为，随着三星电子在先进工艺上不断突破，在性能提高的前提下保证产能，预计可在 5 纳米级以上的工艺量产方面与台积电进一步进行竞争。
