【ITBEAR科技资讯】4月20日消息，韩国半导体公司SK海力士官网宣布，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品，再次超越了现有最高性能DRAM内存HBM3的技术界限。据ITBEAR科技资讯了解，该公司正在向客户提供样品，并进行性能评估。
SK海力士表示，其工程师通过应用先进的批量回流模压填充(MR-MUF)技术，提高了新产品的工艺效率和性能稳定性，同时通过硅通孔(TSV)技术，将单个DRAM芯片的厚度降低了40%，达到了与16GB产品相同的堆叠高度水平。HBM是SK海力士在2013年首次开发出来的一种内存，由于它在实现运行在高性能计算(HPC)系统中的生成型AI中起着至关重要的作用，因此受到了内存芯片行业的广泛关注。
“SK海力士之所以能够不断开发出一系列超高速和高容量的HBM产品，是因为它在后端工艺中运用了领先的技术，”SK海力士封装测试部门负责人洪相厚说，“公司计划在今年上半年完成新产品的量产准备工作，以进一步巩固其在AI时代尖端DRAM市场中的领导地位。”
随着人工智能技术的不断发展，处理大量数据已成为重要的需求。最新的HBM3标准被认为是快速处理大量数据的理想产品。据ITBEAR科技资讯了解，该产品被全球主要科技公司采用的情况越来越多。SK海力士已经向多个对最新产品表达了极大期待的客户提供了24GB HBM3产品的样品，同时该产品的性能评估也在进行中。
SK海力士在去年6月率先量产业界首款HBM3，此次又成功开发出内存容量比前一代产品增加50%的24GB封装产品。该公司将在下半年向市场供应新产品，以满足由AI聊天机器人行业带动的高端内存产品的需求。
