【ITBEAR科技资讯】5月2日消息，三星电子正在与台积电争夺3纳米芯片订单，展开激烈的竞争和碰撞。据悉，三星的SF3是采用GAA-FET技术的首个3纳米节点，已经向各大半导体设计公司送样。三星声称，在节点开发阶段，其生产良率可维持在60-70%的范围内。对于客户而言，良率是选择合作伙伴时的关键因素之一，因为大客户首先考虑的是产能，其次是晶圆成本。目前，台积电的产能已被苹果占据，三星试图通过提供性能验证来重新赢得客户的青睐。
据ITBEAR科技资讯了解，三星3纳米制程工艺已经获得英伟达、高通、IBM、百度等公司的订单，主要来自需要高性能和低功耗半导体的移动和HPC公司。三星计划在2023-2024年将以3纳米生产为主，包括SF3(3GAP)和其改进版本SF3P(3GAP+)，同时该公司还计划在2025-2026年开始推出2纳米级别节点。
值得一提的是，三星曾因其工程部门在2022年“捏造”良率以赢取客户业务的争议而备受诟病。不过，三星声称其在3纳米节点开发阶段的良率可维持在60-70%的范围内，已进入稳定轨道。对于半导体行业来说，台积电具有强大的影响力，凭借稳定现有先进制程良率的经验，在订单争夺中领先一步。但在台积电之前采用成本优势的GAA技术，可能成为一个变数。
