【ITBEAR科技资讯】5月5日消息，据报道，三星电子正在努力在芯片制造领域追赶台积电的领先地位。在韩国科学技术研究院(KAIST)举行的一次主题演讲中，三星设备解决方案业务部芯片合同制造总经理Siyoung Choi表示，目前台积电在芯片制造方面远远领先于三星，但使用Gate All Around(GAA)技术至关重要。三星正在推出采用3nm工艺技术的GAA晶体管芯片，而台积电则依赖成熟的FinFET。三星计划通过这一技术弥合自身与台积电之间的技术差距，据ITBEAR科技资讯了解。
Siyoung Choi还指出，三星目前的4nm技术比台积电落后大约两年，3nm技术落后大约一年，但当台积电转向2nm时，这种情况将会改变。相比之下，台积电计划使用2nm的GAA技术，这将使得赶超台积电变得更加困难。不过，三星正在与多家知名公司合作，这些客户对三星的3nm GAA工艺赞不绝口。
此外，台积电计划对美国制造的芯片收取比台湾制造的芯片高出30%的费用，这可能导致台积电在美国制造的4纳米和5纳米产品价格上涨20%至30%。不过，三星电子有机会从中受益，因为在美国建造晶圆厂的成本正在膨胀，三星有机会吸引更多的客户选择其代工业务。
总体而言，三星电子正在努力迎头赶上台积电，通过推出采用最新技术的芯片，吸引更多的客户选择其代工业务，进一步提升公司的市场份额。而台积电则面临着在美国建造晶圆厂成本高企的挑战，这可能导致其在美国制造的芯片价格上涨，给竞争对手带来机会。
