【ITBEAR科技资讯】5月6日消息，据外媒报道，高通公司将在未来几年推出一系列重大改进，以进一步提高骁龙芯片的性能和功效。
据悉，今年下半年发布的骁龙 8Gen3 将继续使用 4nm 工艺，ARM 的核心，支持 LPDDR5X 内存。但从骁龙 8Gen4 开始，高通芯片将迎来大改。高通公司收购 Nuvia 公司之后一直在自研 Oryon 内核，骁龙 8Gen4 可能是首款用到 Oryon 内核的高通芯片。同时，骁龙 8Gen4 还将支持 LPDDR6 内存标准，该内存来自三星。
据ITBEAR科技资讯了解，高通将从明年开始改用台积电的 3nm 工艺，其中 N3E 工艺将成为新一代安卓旗舰的主流制程。台积电的 3nm 工艺有 N3 和 N3E 两种，但台积电一直建议手机厂商使用 N3E 工艺。与 5nm 相比，N3E 工艺的性能将提高 10%-15%，功耗下降 25%-30%。这意味着未来的骁龙芯片将具有更快的速度和更长的电池续航能力。
随着全球 5G 网络的普及和 5G 手机的广泛应用，高通作为移动芯片领域的龙头企业，将继续加强技术研发，提高产品竞争力，以满足消费者对高性能、低功耗移动设备的需求。
