【ITBEAR科技资讯】5月6日消息，据Intel官方消息，该公司将在2021年至2024年期间陆续投产7nm、4nm、3nm、20A、18A等五代工艺节点。其中，20A和18A将迈入埃米时代，相当于2nm和1.8nm，这将使Intel与台积电并驾齐驱，甚至实现反超。
Intel的20A工艺将引入PowerVia背部供电和RibbonFET全环绕栅极晶体管等全新技术。通过PowerVia技术，Intel将把传统位于芯片正面的供电层转移到芯片背面，并通过一系列TSV硅穿孔为芯片供电。这种技术可以大大降低供电噪声和电阻损耗，优化供电分布，提高整体能效。而RibbonFET技术则可以提高晶体管的性能，从而提高芯片的整体性能。
据ITBEAR科技资讯了解，Intel将于6月11日至16日举办的VLSI Symposium 2023研讨会上，首次展示PowerVia技术。不过，展示的并不是20A工艺，而是基于Intel 4工艺的一颗测试芯片，架构为E核心。这颗核心的面积仅为2.9平方毫米，得益于PowerVia技术，大部分区域的标准单元利用率都超过了90%。同时，PowerVia技术还带来了超过5%的频率提升，吞吐时间略高但可以接受，功耗发热情况符合预期。
除了用于自家产品，Intel还将为客户代工使用PowerVia技术。这也是Intel提前展示其能力的原因之一。Intel一直在积极推进新一代工艺节点的研发和投产，而PowerVia技术的引入为芯片的供电层提供了全新的解决方案，为未来的芯片性能提供更多的可能性。
