【ITBEAR科技资讯】5月10日消息，美国3D NAND闪存制造商Neo Semiconductor近日发布了全球首个采用类似于3D NAND的3D X-DRAM存储芯片。据称，这一解决方案容量远超当前的2D DRAM解决方案。
新型存储芯片的首个版本容量为128 Gb，每个芯片有230层，密度比目前的2D DRAM芯片高8倍。Neo Semiconductor表示，与其他3D DRAM替代方案相比，这种解决方案的扩展和实施成本更低，可靠性更高，将成为不久的将来取代2D DRAM的候选者之一。
据ITBEAR科技资讯了解，这一技术的核心在于创新地使用了浮动体单元(FBC)。借助成熟的3D NAND工艺，只需一个掩模(mask)就能定义位线孔并在孔内形成单元结构。这种方法可以大大简化2D DRAM的生产和实施。
据Neo Semiconductor估计，到2025年，存储容量可能会翻一番，达到256 Gb。在未来10年，他们还将推出更高容量的1 Tb版本。更多信息将在2023年8月9日的闪存峰会上发布。
Neo Semiconductor的3D X-DRAM存储芯片的推出，为未来存储技术的发展带来了新的思路和机遇。这种解决方案的可靠性和成本效益更高，将有望替代现有的2D DRAM解决方案，进一步推动存储器技术的革新和升级。
