【ITBEAR科技资讯】6月28日消息，三星代工(Samsung Foundry)在今天的年度三星代工论坛(SFF 2023)上公布了其最新工艺技术路线图。根据该公司的计划，未来几年内将推出一系列先进的制造工艺。
三星代工计划在2025年推出2纳米级的SF2工艺，此前在今年早些时候推出的第三代3纳米级(SF3)工艺的基础上进行了进一步优化。据悉，SF2工艺相较于SF3工艺，在相同的频率和复杂度下提高了25%的功耗效率，提升了12%的性能，同时还减少了5%的面积。为了增强SF2工艺的竞争力，三星还将提供一系列先进的IP组合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。
据ITBEAR科技资讯了解，三星代工还计划在2026年推出面向高性能计算(HPC)优化的SF2P工艺，并在2027年推出面向汽车应用优化的SF2A工艺。同时，在2027年，三星计划开始使用SF1.4(1.4纳米级)制造工艺进行量产。三星的2纳米级工艺预计与台积电的N2(2纳米级)工艺大致同步，比英特尔的20A工艺晚一年左右。
除了工艺技术的提升，三星代工还将继续发展其射频技术。该公司计划在2025年上半年准备就绪5纳米射频工艺技术，相比旧版14纳米射频工艺，新的5纳米射频技术预计能提高40%的功耗效率，以及约50%的晶体管密度。此外，三星代工计划于2025年开始生产氮化镓(GaN)功率半导体，用于消费品、数据中心和汽车领域等多种应用。
在技术供应能力方面，三星代工致力于扩大其在韩国平泽和美国得州泰勒市的制造能力。预计在2023年下半年，三星将在平泽3号生产线(P3)开始量产芯片。同时，泰勒市的新建厂房计划于今年年底完工，并在2024年下半年开始运营。三星的目标是到2027年将其洁净室容量增加7.3倍，以满足不断增长的市场需求。
三星代工的最新工艺技术路线图公布引起了业界的广泛关注。随着各种先进工艺的推出和射频技术的发展，三星有望在半导体制造领域保持竞争优势，并为各行各业提供更强大的芯片解决方案。
