【ITBEAR科技资讯】6月28日消息，三星代工(Samsung Foundry)在今天的年度三星代工论坛(SFF 2023)上发布了最新的工艺技术路线图。根据该公司的计划，他们计划在2025年推出2纳米级的SF2工艺，并在2027年推出1.4纳米级的SF1.4工艺。据ITBEAR科技资讯了解，三星的SF2工艺是在今年早些时候发布的第三代3纳米级(SF3)工艺的基础上进一步优化的。
相比于SF3工艺，SF2工艺在相同的频率和复杂度下提高了25%的功耗效率，提升了12%的性能，并减少了5%的面积。为了增强SF2工艺的竞争力，三星还将提供一系列先进的IP组合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。
SF2工艺之后，三星还计划在2026年推出针对高性能计算(HPC)优化的SF2P工艺，并于2027年推出针对汽车应用优化的SF2A工艺。同样在2027年，该公司还计划开始量产使用SF1.4(1.4纳米级)制造工艺。三星的2纳米级工艺预计与台积电的N2(2纳米级)工艺大致同步，比英特尔的20A工艺晚一年左右。
除了提升工艺技术，三星代工还计划继续发展其射频技术。据该公司预计，他们的5纳米射频工艺技术将在2025年上半年准备就绪。与旧版14纳米射频工艺相比，三星的5纳米射频预计将提高40%的功耗效率和约50%的晶体管密度。此外，三星还计划在2025年开始生产氮化镓(GaN)功率半导体，以满足消费品、数据中心和汽车领域等各种应用需求。
在技术供应方面，三星代工致力于扩大其在韩国平泽和美国得州泰勒市的制造能力。预计在2023年下半年，三星将在其平泽3号生产线(P3)开始量产芯片。泰勒市的新建厂房预计将于今年年底竣工，并于2024年下半年开始运营。根据三星的计划，到2027年，他们的洁净室容量将比2021年增加7.3倍。
