【ITBEAR科技资讯】7月18日消息，根据市场研究机构Hi Investment & Securities的最新报告，三星Foundry在3纳米工艺方面取得了良好的进展，良率达到了60%，超过了台积电的55%。
报道指出，三星Foundry积极发展3纳米工艺，不断提升生产工艺水平和提高良率，目前已经实现了60%的良率，预计在超先进芯片制造技术上能够超过台积电。
根据ITBEAR科技资讯了解，报告还指出三星Foundry在4纳米工艺方面的良率为75%，略低于台积电的80%，但通过在3纳米工艺上的发力，有望在未来超越台积电。
报道还提到，由于台积电的大部分订单都被苹果预订，一些公司如英伟达和高通对三星Foundry的第二代3纳米(SF3)工艺表现出了兴趣。
此前，三星Foundry在SFF 2023上公布了最新的工艺技术路线图，计划在2025年推出2纳米级的SF2工艺，并于2027年推出1.4纳米级的SF1.4工艺。此外，该公司还公布了SF2工艺的一些特性。
根据Hi Investment & Securities的报告，三星Foundry在3纳米工艺上取得的良率突破显示了其在先进芯片制造领域的实力和竞争优势。随着不断的技术创新和工艺改进，三星Foundry有望在未来获得更多的市场份额并与台积电展开激烈的竞争。
