【ITBEAR科技资讯】8月9日消息，韩国半导体巨头SK海力士(SK Hynix)在当日宣布取得了重大突破，成功发布了全新的321层1Tb TLC NAND闪存。这一进展让SK海力士成为全球首家正式开发300层以上NAND闪存的公司。
这项突破性的技术成果标志着SK海力士在NAND闪存领域取得了巨大的进步。与上一代的238层512Gb NAND相比，这款321层1Tb TLC NAND的效率提升了惊人的59%。SK海力士通过增加每个芯片中存储单元的数量和层数，从而在相同大小的芯片上实现了更大的存储容量。这不仅提高了单片的存储能力，还有效地提升了每个晶圆上芯片的产量。
SK海力士计划在2025年上半年开始量产这款321层1Tb TLC NAND闪存，为市场提供更大容量、更高效率的存储解决方案。
据ITBEAR科技资讯了解，除了这一突破性的321层1Tb TLC NAND闪存，SK海力士还推出了适应不同需求的下一代NAND产品。其中，企业级固态硬盘(eSSD)采用了PCIe 5(Gen5)接口，为企业级用户提供更快速的数据传输能力。此外，UFS 4.0也将成为移动设备领域的亮点，为手机等设备带来更高速的闪存存储性能。
SK海力士表示，公司将继续在现有技术基础上不断优化产品，并积极投入下一代产品的研发。他们正致力于开发适应未来市场需求的PCIe 6.0和UFS 5.0产品，为行业的发展引领潮流。这一系列的创新举措将进一步巩固SK海力士在半导体领域的领导地位，为全球科技发展贡献重要力量。
