【ITBEAR科技资讯】8月21日消息，近日，NAND闪存技术再次取得重大突破，开启了存储领域的新篇章。据业内消息透露，全球主要存储制造商正竞相推出超高层数的闪存产品，引发了业界对存储密度和性能的新期待。
SK海力士近期宣布推出了一款令人瞩目的300+层闪存，标志着NAND闪存技术在堆叠层数方面的巨大进步。该款闪存拥有惊人的321层，采用TLC技术，单个Die的容量高达1Tb(128GB)，然而，这款产品将于2025年才能量产。
三星也不甘示弱，据韩国媒体透露，他们计划在2024年推出自己的300+层闪存产品，力争领先一步。虽然目前三星的闪存细节尚未公开，但可以确定的是，该产品依然采用双重堆叠技术，并在细节方面进行了一系列创新。
值得一提的是，除了层数的提升，闪存容量也在不断刷新纪录。三星最近公布了一款高达256TB的企业级SSD，采用QLC技术，以满足企业级市场对大容量存储的需求。此外，他们还在积极研发PB级的SSD，预计超过1000TB的存储容量将在不久的将来成为现实。
据ITBEAR科技资讯了解，NAND闪存技术的持续创新将为数据存储和处理领域带来重大影响。随着技术的不断发展，存储设备将拥有更大的容量和更快的速度，为各种应用场景提供更强大的支持。
