【ITBEAR科技资讯】9月1日消息，三星电子在今日宣布取得重大突破，成功开发出基于12纳米(nm)级工艺技术的32Gb DDR5 DRAM内存模组，为未来的数据处理和存储领域注入了新的活力。这项突破性技术将有望满足不断增长的人工智能和大数据应用对高容量DRAM内存的需求。
这款新型32Gb DDR5 DRAM内存模组的问世，不仅意味着容量的大幅提升，还体现在更为高效的能源利用上。通过新开发的32Gb内存颗粒，即使在不使用硅通孔(TSV)工艺的情况下，也能够生产出128GB内存模组。与过去基于16Gb内存颗粒的128GB内存模组相比，新产品的功耗降低了约10%。这一技术进步使得新内存模组成为数据中心等高度关注能效的企业的首选解决方案。
据ITBEAR科技资讯了解，三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁SangJoon Hwang表示，基于12纳米级32Gb DDR5 DRAM内存模组的基础，三星还将继续拓展其大容量内存产品阵容，以满足高性能计算和IT行业不断增长的需求。三星将以这一技术为基石，为数据中心、人工智能和下一代计算等领域的客户提供更为强大的12纳米级32Gb内存解决方案，进一步巩固其在未来内存市场的领先地位。
这款创新的12纳米级32Gb DDR5 DRAM内存模组预计将在今年年底开始量产，为行业带来更大的潜力和发展机会。三星电子将继续与其他核心行业伙伴保持紧密合作，共同推动技术创新的发展，为数字化时代的需求提供有力支持。
