【ITBEAR科技资讯】10月9日消息，据韩国媒体ChosunBiz报道，最新的数据显示，三星电子和台积电的3纳米(nm)工艺制程的良率目前都稳定在约50%左右。
这一消息表明，先前的报道曾称三星电子的3nm良率超过60%，并已向中国客户交付了一款芯片。然而，有分析人士指出，这款芯片虽然采用了3nm工艺，但由于省略了逻辑芯片中的SRAM(静态随机存储器)，因此难以被视为“完整的3nm芯片”。
据ITBEAR科技资讯了解，尽管三星电子率先实现了3nm全栅极技术(GAA)的量产，但其产量仍不足以满足大客户的需求。这一新技术要求栅极环绕晶体管电流通道的四边，相对于先前的三边环绕工艺而言更为复杂。一位知情人士透露称：“要赢得像高通这样的大客户，明年的3nm移动芯片订单，良率至少需要提高到70%。”
与此同时，台积电虽然是目前唯一一家实现3nm量产的公司，但其产量仍然低于最初的预期。一些分析师认为，台积电在3nm工艺中仍然采用了与上一代工艺相同的FinFET结构，可能未能解决过热问题。
目前，三星和台积电仍在努力提高3nm工艺的良率，以达到60%以上的目标。台积电计划在明年量产N3E、N3P、N3X、N3AE等系列芯片，重点是提高良率以降低生产成本。
此外，一位半导体业内人士透露，三星、台积电和英特尔都在积极准备2nm工艺，尽管与3nm相比，性能和功耗效率的提升并不显著。因此，3nm工艺芯片的需求预计将持续超出预期。
在此之前，天风国际分析师郭明錤曾在社交媒体上指出，苹果iPhone 15 Pro系列的过热问题与台积电的3nm制程无关。他表示：“我的调查表明，iPhone 15 Pro系列的过热问题主要可能是为了减轻重量而对散热系统设计进行妥协，例如散热面积较小、采用钛合金等影响散热效果的因素。预计苹果将通过软件更新来解决这个问题，但如果不牺牲处理器性能，改善效果可能有限。如果苹果无法妥善解决这个问题，可能会对iPhone 15 Pro系列产品的销售产生不利影响。”
