【ITBEAR科技资讯】10月19日消息，根据韩媒ETNews的最新报道，三星电子内部迅速成立了全新的碳化硅(SiC)功率半导体团队，此次任命安森美半导体的前董事洪锡俊(Stephen Hong)担任副总裁，负责领导并监管相关业务。
洪锡俊是功率半导体领域的专家，他在英飞凌、仙童和安森美等全球大型公司拥有将近25年的经验。加入三星后，他将负责组建和领导这支SiC商业化团队，同时积极寻求与韩国功率半导体产业生态系统和学术机构的合作，以进行市场和商业可行性研究。在正式进军氮化镓(GaN)业务之前，三星也提前组建了相关业务团队。
与此同时，三星电子已经启动了全面的GaN功率半导体业务筹备工作。该公司决定购买Aixtron最新的金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备，专门用于GaNa SiC晶圆的加工，这显示出三星对此业务的坚定承诺，这一投资计划的金额预计至少达到7000亿韩元。
尽管三星的第三代半导体代工业务预计将于2025年启动，但目前仍处于研究和样品阶段，因此需要大量投资设备以支持未来的量产工作。
据市场研究机构TrendForce的分析，预计2023年全球SiC功率器件市场规模将达到228亿美元(约合1669亿元人民币)，同比增长41.4%。预计到2026年，这一市场规模将扩大至533亿美元(约合39016亿元人民币)。
不仅如此，TrendForce的最新研究还指出，到2024年，三星8英寸晶圆制造工厂的利用率可能会下降至50%。这一下降主要是由于全球半导体需求减少，再加上地缘政治因素，严峻的商业环境对三星的订单量产生了不小的影响。
鉴于SiC和GaN功率半导体的需求持续增加，以及三星的硅晶圆业务面临一系列挑战，该公司计划与DB Hitek和Key Foundry等竞争对手一起，准备在2025年至2026年之间推出8英寸GaN代工服务，以进一步巩固其在半导体领域的地位。
