【ITBEAR科技资讯】2月17日消息，ASML已成功向Intel交付首台高NA EUV极紫外光刻机，为2nm及以下先进工艺芯片的生产提供了强大支持。据悉，台积电和三星也将陆续接收此类光刻机，预计将进一步推动1nm工艺的研发与量产。
在光刻技术不断革新的道路上，ASML并未止步。据ITBEAR科技资讯了解，该公司目前正在积极研发下一代Hyper NA(超级NA)光刻机，旨在延续摩尔定律的辉煌。与现有的高NA光刻机相比，Hyper NA光刻机在技术上将实现更大的突破。
回顾ASML光刻技术的发展历程，第一代Low NA EUV光刻机以0.33 NA的孔径数值和13.5nm的临界尺寸，为4/5nm工艺芯片的制造奠定了基础。通过双重曝光技术，内连接间距得以缩小至21-24nm，进一步满足了3nm工艺的需求，如台积电N3B的制造。
随后，第二代EUV光刻机将NA值提升至0.55，临界尺寸缩小至8nm，金属间距最小约为16nm，为3-1nm工艺的生产提供了有力支持。据Intel透露，他们将在1.4nm节点上首次采用这种高NA光刻机。
ASML首席技术官Martin van den Brink在接受采访时透露，公司正在研究开发Hyper NA技术，预计将在2030年左右完成。这种新型EUV光刻机不仅适用于逻辑处理器芯片的制造，而且相比高NA双重曝光成本更低，还有望应用于DRAM内存芯片的生产。尽管低NA光刻机的成本已高达1.83亿美元，高NA光刻机更是以3.8亿美元起步，但业界对Hyper NA技术的期待依然高涨。
根据微电子研究中心(IMEC)的路线图，预计在2030年左右，业界将能够推进到A7 0.7nm工艺。而更先进的A5 0.5nm、A3 0.3nm和A2 0.2nm工艺则可能要在2036年左右才能实现。随着光刻技术的不断进步，未来芯片制造的极限将不断被挑战和突破。
