【ITBEAR科技资讯】3月21日消息，意法半导体与三星联手打造的18nm FD-SOI工艺近日亮相，该工艺引入了嵌入式相变存储器(ePCM)技术，为半导体行业带来革新。
FD-SOI，即全耗尽型绝缘体上硅技术，以其出色的漏电流控制能力和简化的制造步骤在半导体工艺中占据一席之地。此次，意法半导体将其与三星的先进工艺结合，进一步提升了技术性能。
据ITBEAR科技资讯了解，与意法半导体目前使用的40nm eNVM技术相比，新的18nm FD-SOI工艺在多个方面实现了显著的提升。在能效方面，新工艺提高了50%，这意味着在相同性能下，功耗将大幅降低。其次，数字密度也提升了3倍，使得片上能集成更多的晶体管，提高了整体性能。同时，新工艺还能容纳更大的片上存储器，并拥有更低的噪声系数，进一步提升了芯片的稳定性和可靠性。
该工艺在3V电压下即可提供多种模拟功能，包括电源管理、复位系统等。这在20nm以下制程中是独一无二的，为低功耗设计提供了更多可能性。
此外，新的18nm FD-SOI工艺在抗高温和抗辐射方面也有出色表现，使其非常适用于要求苛刻的工业应用，如汽车电子、航空航天等领域。
意法半导体表示，首款基于该制程的STM32 MCU将于下半年开始向选定的客户出样，并计划于2025年下半年量产。这无疑将为消费者带来更好的使用体验和更多的功能选择。
随着科技的不断发展和创新，我们期待未来会有更多令人惊喜的产品问世，而意法半导体与三星的这次合作无疑为半导体行业的发展注入了新的活力。
