【ITBEAR科技资讯】4月19日消息，近日，三星半导体在其韩国官网上发布了对两位公司高管的采访内容，主要聚焦于高带宽内存(HBM)的未来发展。两位高管在采访中透露，三星正计划运用TC-NCF工艺来生产16层的HBM4内存，这标志着该公司在内存技术领域的又一重要突破。
TC-NCF，即带凸块的传统多层DRAM间键合工艺，虽然相较于无凸块的混合键合技术显得更为传统，但其稳定性和成熟度得到了业界的广泛认可。然而，这种工艺的使用也意味着生产出的HBM内存在相同层数下会相对较厚。尽管如此，三星已经成功利用TC-NCF工艺推出了12层堆叠的36GB HBM3E内存，并在其生产过程中对散热结构进行了优化，以确保在高堆叠层数下的内存可靠性。
除了继续使用TC-NCF键合技术外，三星还打算在未来的HBM4内存生产中引入混合键合技术，形成一种双轨并行的生产策略。这一战略决策显示了三星在内存生产领域的技术灵活性和创新能力。
据ITBEAR科技资讯了解，三星高管强调，为满足未来人工智能通用智能(AGI)对算力的巨大需求，仅依靠AI处理器或内存厂商的单方面优化是远远不够的。双方需要紧密合作，共同研发出更适应AI需求的HBM内存产品。这也是三星迈向AGI目标的重要一步。
为了更好地满足用户需求，并推动HBM内存技术的快速发展，三星电子计划利用其全面的逻辑芯片代工、内存生产及先进封装测试等业务优势，构建一个完善的HBM内存定制生态平台。这将使三星能够快速响应各类用户的定制需求，进一步提升其市场竞争力。
三星还与多家客户就未来的3D HBM内存技术进行了深入讨论。
