【ITBEAR】8月12日消息，近日，有韩媒ETNews报道称，三星电子已在内部确认了将在平泽P4工厂投资建设1c nm DRAM内存产线的计划，并预计该产线将于明年6月正式投入运营。
平泽P4工厂是一座集多种半导体生产于一体的综合性中心，共分为四期建设。根据早前的规划，一期主要用于NAND闪存的生产，二期原计划为逻辑代工，而三期和四期则规划为DRAM内存的生产。值得注意的是，三星已经在P4一期引入了DRAM生产设备，但二期的建设目前处于搁置状态。
据ITBEAR了解，1c nm DRAM代表着第六代20~10 nm级的内存工艺，目前各大厂商的相关产品都还未正式发布。韩媒在报道中指出，三星电子计划在今年年底前启动1c nm内存的生产。
平泽厂区作为三星的重要生产基地，此次1c nm DRAM产线的建设也被视为是三星电子为应对未来市场需求的重要布局。特别是考虑到HBM内存对DRAM晶圆的消耗量远高于传统内存，平泽P4工厂1c nm DRAM产线的建设无疑是在为可能的HBM4生产需求做好充分准备。
此前，有报道指出三星电子计划在明年下半年推出的HBM4内存上使用1c nm DRAM裸片，旨在通过更先进的DRAM制程提升HBM4产品的能效竞争力，以此追赶在HBM领域处于领先地位的SK海力士。
