8月19日消息，今日，晶合集成宣布与思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅（2.77英寸）CMOS图像传感器（以下简称CIS），为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择。
据了解，晶合集成基于自主研发的55纳米工艺平台，与思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上，所能覆盖一个常规光罩的极限。
同时确保在纳米级的制造工艺中，拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。
晶合集成表示，首颗1.8亿像素全画幅CIS的成功试产，既标志着光刻拼接技术在大靶面传感器领域的成功运用，也为未来更多大靶面全画幅、中画幅传感器的开发铺平了道路。
据介绍，该产品具备1.8亿超高像素8K 30fps PixGain HDR模式高帧率及超高动态范围等多项领先性能，可兼容不同光学镜头。
并且提升产品在终端灵活应用的适配能力，打破了日本索尼在超高像素全画幅CIS领域长期垄断地位。
晶合集成官网显示，晶合集成成立于2015年5月，由合肥市建设投资控股（集团）有限公司与力晶创新投资控股股份有限公司合资建设。
晶合集成专注于半导体晶圆生产代工服务，已实现显示驱动芯片（DDIC）、微控制器(MCU)、CMOS图像传感器(CIS)、电源管理(PMIC)、逻辑应用（Logic）等平台各类产品量产，产品应用涵盖消费电子、智能手机、智能家电、安防、工控、车用电子等领域。
