【ITBEAR】9月12日消息，半导体行业迎来重大突破！全球领先的半导体公司英飞凌科技，近日成功研发出首款直径为300毫米的功率氮化镓（GaN）晶圆技术，该技术将大幅提升芯片生产效率并降低成本。
相较于传统的200毫米晶圆，300毫米晶圆拥有更大的面积，这意味着在相同的生产过程中能够制造出数量更多的芯片。这一创新不仅将生产效率提高了2.3倍，同时也为氮化镓技术的更广泛应用铺平了道路，使其在经济性方面更具竞争力。
据ITBEAR了解，氮化镓功率半导体因其卓越的效率、小巧的尺寸以及轻盈的重量，正迅速被工业、汽车、消费电子、计算和通信等多个领域所采纳。英飞凌的这一技术突破无疑将加速这一趋势。
英飞凌计划在未来的慕尼黑电子展上，向全球展示其先进的300毫米GaN技术。此外，公司已在奥地利菲拉赫的工厂成功实现了该技术的量产，并准备根据市场反响进一步扩大生产规模。
英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck对此次成就表示自豪，他强调这是公司创新实力和全球团队协作的成果，并认为这项技术将重塑行业格局，充分释放氮化镓的潜力。
随着300毫米功率氮化镓晶圆技术的问世，英飞凌科技进一步巩固了其在半导体行业的领导地位，同时也为全球电子产业的持续发展注入了新的活力。
#英飞凌科技# #300毫米晶圆# #氮化镓# #半导体行业# #技术突破#
