【ITBEAR】9月12日消息，三星2纳米工艺遇挫，量产计划被迫推迟至2026年。原定于2024年底前投入量产的先进芯片，因良率问题而陷入困境。为解决此问题，三星已决定从位于美国得州的泰勒工厂大幅撤出员工，仅维持最低限度的运营团队。
泰勒工厂原本被寄予厚望，计划成为4纳米及以下工艺的量产枢纽。然而，实际生产中2纳米芯片的良率持续低迷，竟不到50%，远逊于竞争对手台积电60%至70%的良率水平。业内专家分析，三星所采用的全环绕栅极（GAA）工艺技术，其良率可能仅在10%至20%之间徘徊，严重影响了客户的订单履行和量产计划的实施。
据ITBEAR了解，为提升工艺水平和良率，三星高层已积极行动。董事长李在镕亲自出访，与关键设备供应商如ASML和蔡司等会晤，探寻解决方案。尽管如此，目前仍未见明显突破。有半导体行业的教授指出，三星在晶圆代工领域的竞争力下滑，可能与公司内部的官僚作风、决策迟缓以及薪酬体系问题息息相关。
此外，业界人士还透露，三星在投资决策上的滞后，反映了管理层对当前市场动态和竞争态势的认识存在不足。与二三十年前相比，如今的市场环境已发生翻天覆地的变化，竞争愈发激烈。
面对重重挑战，三星能否迎难而上，重拾昔日荣光，业界正拭目以待。
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