【ITBEAR】9月12日消息，三星电子近日宣布，已正式量产采用低功耗设计技术的1太比特四层单元(QLC)第九代V-NAND产品。该技术显著降低了驱动NAND存储单元所需的电压，进而实现数据读取功耗降低30%至50%，大幅提升了产品的能效。
通过采用预设模具技术，三星对存储单元的字线间距进行了精细调整，确保了存储单元特性的高度一致性。据ITBEAR了解，此项改进不仅在同一层内，而且在不同层之间都实现了性能的提升，数据保存性能因此提高了约20%，显著增强了产品的可靠性。
在技术创新方面，三星电子的双堆栈架构和通道孔蚀刻技术使得第九代QLC V-NAND的存储单元层数达到业界顶尖水平。这一技术的运用，使得新产品的位密度比前一代提升了86%，存储单元面积和外围电路得到了显著优化。
此外，三星的预测程序技术通过精准预测和控制存储单元状态变化，有效减少了冗余操作，从而实现了写入性能翻倍和I/O速度提升60%的显著成效。
第九代V-NAND还引入了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，将数据传输速度提升了33%，达到每秒3.2千兆位的高速传输。同时，三星计划进一步扩大对PCIe 5.0的支持，以巩固在高性能NAND市场的领先地位。
值得一提的是，与前一代产品相比，第九代V-NAND在总体功耗上降低了10%，这一成果充分展现了三星在追求技术创新和能效优化方面的坚定决心和卓越能力。
随着这款高性能、低功耗的第九代V-NAND产品的量产，预计将在品牌消费类产品、移动通用闪存(UFS)、个人电脑等多个领域得到广泛应用，为广大客户提供更加全面和优质的服务。
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