【ITBEAR】9月13日消息，国电投核力创芯近日宣布，其已成功向客户交付了首批经过氢离子注入性能优化的芯片产品。这一重大进展意味着，我国在半导体制造领域的氢离子注入技术上已实现了核心技术与工艺的自主掌控，从而填补了国内半导体产业的一项重要技术空白。
氢离子注入技术在半导体晶圆制造中占据举足轻重的地位，对于多种半导体产品的制造而言都是不可或缺的环节。然而，长期以来，我国在该技术的掌握上一直存在短板，导致高端半导体产品的发展受到严重限制，特别是在高压功率芯片领域，长期依赖国外进口。
据ITBEAR了解，面对国际技术封锁和装备禁运的挑战，核力创芯团队展现了非凡的科研毅力和创新能力。在短短三年的时间里，他们成功突破了多项技术壁垒，实现了从研发到生产的全面国产化，为我国半导体产业的自主可控发展奠定了坚实基础。
此次交付的芯片产品经过了严苛的工艺和可靠性测试，累计测试时间长达近1万小时。这些芯片的主要技术指标已达到国际先进水平，并获得了用户的广泛认可。这一成就不仅是对我国半导体产业技术实力的一次有力印证，也为我国在全球半导体市场中争取更多话语权提供了有力支持。
展望未来，随着氢离子注入技术的全面国产化，我国半导体产业有望摆脱对外技术依赖，实现更加独立自主的发展。同时，这也将为我国在高端功率芯片、集成电路等核心领域的技术突破和产业升级提供坚实保障，推动整个半导体产业的持续创新和进步。
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