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三星2nm工艺遇挑战,良率竟不足两成?业界瞩目,未来何去何从

   时间:2024-09-14 20:14:30 来源:ITBEAR作者:沈如风编辑:瑞雪 发表评论无障碍通道

【ITBEAR】9月14日消息,三星在先进制程技术竞赛中面临严峻挑战,其2nm工艺发展遭遇重重困难。根据集邦咨询发布的报告指出,三星的2nm工艺良品率惊人低迷,仅介于10-20%之间,远未达到业界期待的量产水准。相较之下,竞争对手台积电却展现出稳定的制程实力,整体良率维持在60-70%的高水平。

尽管三星在2nm工艺上投入大量研发资源,进一步完善了多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构,并声称相比传统的FinFET技术,其晶体管性能可提升高达46%,同时降低可变性与漏电率,但实际生产中的良品率问题却成为难以逾越的障碍。此外,有消息透露,三星先前量产的3nm工艺也曾遭遇良率不足20%的窘境,这无疑给三星的先进制程技术发展蒙上了一层阴影。

据ITBEAR了解,受2nm工艺研发困境影响,三星正考虑在全球范围内进行更大规模的裁员,尤其是在美国得克萨斯州的泰勒工厂。此举显然是为了缩减开支,集中资源攻克技术难题。然而,三星晶圆厂的整体良品率普遍低于50%,在3nm及更先进工艺领域的表现更是令人堪忧。

在全球晶圆代工市场的激烈竞争中,台积电以62.3%的市场份额稳居榜首,而三星虽位列第二,但市场份额却仅有11.5%,甚至不及我国的中芯国际,后者已凭借稳健的发展态势升至第三位,市场份额达到5.7%。三星在先进制程技术领域的挫折,无疑将对其在全球市场的地位造成不小的影响。

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