【ITBEAR】9月24日消息，创意电子（GUC）今日宣布，其自主研发的3nm工艺HBM3E内存控制器与物理层（PHY）IP已成功获得业界多家重要CSP云服务提供商及HPC解决方案供应商的青睐，并将于今年进入流片阶段，支持高达9.2Gbps的HBM3E内存传输速率。
作为领先的ASIC设计服务提供商，创意电子的最大股东（持股35%）及唯一晶圆代工厂商均为台积电，后者同时也是其在先进制程与封装技术领域的关键合作伙伴。
据ITBEAR了解，创意电子的HBM3E IP已经通过台积电N7/N6、N5/N4P、N3E/N3P等一系列先进工艺制程技术的验证，且与所有主流HBM3厂商的产品兼容。此外，该IP还在台积电的CoWoS-S及CoWoS-R先进封装技术上完成了流片验证。
在与美光的合作中，创意电子的HBM3E IP与美光的HBM3E产品在台积电CoWoS-S与CoWoS-R平台上实现了9.2Gbps的传输速率，并在不同温度与电压条件下均展现出优异的眼图边限性能。
创意电子首席运营官Aditya Raina表示：“我们很高兴看到我们的HBM3E控制器和PHY IP被整合到CSP和HPC ASIC中。这一解决方案不仅经过了流片验证，还得到了多个先进技术与主流厂商的认可，荣获多家大厂的采用，这充分证明了其稳健性和优势。我们期待继续为人工智能、高效能运算、网络和汽车等各种应用提供支持。”
除了HBM3E之外，创意电子还在积极与美光等HBM内存供应商合作，共同为下一代AI ASIC开发HBM4 IP。
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