【ITBEAR】9月26日消息，SK海力士今日宣布，已在全球范围内率先启动12层HBM3E芯片的量产工作，这一里程碑式的进展意味着该公司已成功实现当前HBM产品中最大的36GB容量，并计划于年内向广大客户提供此创新产品。
据ITBEAR了解，该消息一经发布，SK海力士的股价在韩国市场即迎来显著上涨，涨幅超过8%，推动其市值攀升至超过120.34万亿韩元，折合人民币约6351.55亿元。
在技术细节方面，SK海力士通过堆叠12颗3GB DRAM芯片，成功地在保持与现有8层产品相同厚度的同时，将存储容量提升了50%。为实现这一突破，公司采用了先进的工艺，将单个DRAM芯片制作得比过去薄了40%，并运用了硅通孔（TSV）技术进行垂直堆叠。
为解决在堆叠更多变薄芯片时可能出现的结构性挑战，SK海力士引入了其核心的先进MR-MUF工艺。这一工艺不仅提升了产品10%的散热性能，还有效地控制了翘曲问题，从而确保了产品的稳定性和可靠性。
自2013年推出第一代HBM以来，SK海力士已持续引领HBM技术的发展，成为业界唯一一家全面开发和供应从第一代至第五代（HBM3E）全系列HBM产品的企业。此次成功量产12层堆叠产品，不仅是对人工智能企业不断增长需求的有力回应，也进一步夯实了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导地位。
SK海力士强调，其12层HBM3E在速度、容量和稳定性等关键指标上均达到了业界顶尖水平。具体而言，该产品的运行速度高达9.6Gbps，在配备四个HBM的GPU上运行大型语言模型如“Llama 3 70B”时，每秒可读取35次700亿个整体参数，展现出惊人的数据处理能力。
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