【ITBEAR】9月26日消息，三星近日发布了旗下新款固态硬盘——990 EVO Plus，该硬盘融合了最新的第8代V-NAND技术与先进的5nm主控芯片，展现出卓越的性能提升。这款硬盘通过创新的镀镍热屏蔽设计，显著提高了能效，比前代990 EVO提升了高达73%。
990 EVO Plus提供了1TB、2TB和4TB三种存储容量选择，且这款硬盘的一大特点是去除了DRAM缓存。尽管如此，其4TB型号的性能依然强劲，随机读取速度可达每秒1,050K IOPS，随机写入速度更是高达1,400K IOPS，与配备DRAM缓存的产品相比性能不减。
该产品还支持PCIe 4.0 ×4或5.0 ×2的NVMe 2.0标准，这意味着在连续读写速度上有了质的飞跃。据三星公布的数据显示，990 EVO Plus的连续读取速度可达惊人的7,250 MB/s，而写入速度也提升至6,300 MB/s，相比上一代产品提升了50%，为用户带来了更为流畅的数据传输体验。
三星990 EVO Plus固态硬盘的推出，无疑将满足高端用户对于存储设备性能的苛刻要求，同时也展示了三星在固态硬盘技术领域的持续创新和领先地位。
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