【ITBEAR】9月27日消息，SK海力士宣布已成功实现全球首次的12层堆叠HBM3E芯片量产，此举刷新了HBM产品的最大容量纪录，高达36GB的存储容量令人瞩目。相较于传统的8层产品，新款12层芯片在保持相同物理厚度的同时，存储容量提升了惊人的50%。
这一技术飞跃的背后，是SK海力士在DRAM芯片制造工艺方面的重大突破。公司不仅将芯片厚度减少了40%，更运用了先进的硅通孔(TSV)技术，使得芯片能够垂直堆叠，从而大幅提升了存储容量。
在堆叠更多层数的同时，SK海力士也面临着结构性挑战。然而，凭借其核心的先进MR-MUF工艺，公司成功提升了产品的散热性能，增幅达10%，并有效控制了芯片翘曲问题，从而确保了新款HBM3E芯片的稳定性和可靠性。
新款12层HBM3E芯片在性能上达到了业界顶尖水平。其运行速度可高达9.6Gbps，这使得它非常适合运行大型语言模型，例如Llama 3 70B。在实际应用中，该芯片每秒可读取35次700亿个参数，展现出强大的数据处理能力。
自2013年推出第一代HBM产品以来，SK海力士一直保持着在该领域的领先地位。如今，随着12层HBM3E芯片的量产，公司不仅满足了人工智能企业对高性能存储器的迫切需求，更进一步巩固了其在AI存储器市场的领导地位。
市场对SK海力士的这一重大技术突破反应热烈。近期，公司在韩国市场的股价上涨超过8%，市值更是达到了120.34万亿韩元，充分显示出投资者对公司未来发展前景的乐观预期。
总的来说，SK海力士通过不断创新和技术突破，再次引领了HBM产品的发展潮流，为人工智能等领域的发展提供了强有力的支持。
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