俄罗斯当前面临的挑战是，其芯片制造商仍依赖于成熟的制程工艺，如65nm和90nm，且大量使用国外制造的半导体设备，尤其是光刻设备。由于国际制裁，俄罗斯获取这些关键设备的成本已大幅上升。
因此，俄罗斯政府制定了这一国产替代计划，以降低成本并减少对国外设备的依赖。计划包括开发从180nm到28nm的多种技术路线的国产设备，涵盖微电子学、微波电子学、光子学等领域。
尽管该计划的战略目标明确，但具体实施细节仍较为模糊。俄罗斯计划在2026年底前完成一系列关键设备的开发，包括用于不同工艺技术的光刻设备，并掌握外延法等重要工艺。
俄罗斯还计划自主生产65nm或90nm制程的国产光刻系统，以提高其微电子产品的生产能力。然而，这一目标仍落后于全球行业的领先水平。
在资金投入方面，俄罗斯政府将通过多个国家计划来分配这2400亿卢布的资金，包括电子和无线电电子工业发展计划以及科学技术发展计划。
尽管俄罗斯政府已投入大量资金用于推动半导体制造业的发展，但相对于庞大且复杂的半导体产业链来说，这些资金可能仍显不足。
