【ITBEAR】台积电在半导体技术领域再次取得显著进展，成功在2nm制程上实现突破，引入创新的GAAFET晶体管技术。此项技术结合NanoFlex特性，为芯片设计带来全新层面的灵活度。
与目前的N3E工艺相比，N2工艺有望在维持相同功耗的同时，提升10%至15%的性能，或在相同运行频率下降低25%至30%的能耗。晶体管密度的15%提升标志着行业内的重大进步。
然而，技术突破的背后伴随着成本的上升。据预测，2nm晶圆的价格可能超过3万美元，显著高于当前3nm和4/5nm晶圆的价格。台积电为应对市场需求，计划在中国台湾多地扩建2nm晶圆厂。
随着新工艺的引入，生产成本因更多的EUV光刻步骤而增加，可能采用的双重曝光技术进一步推高了成本。尽管如此，台积电仍坚定推进N2工艺，并计划于2025年下半年开始批量生产，预计最快2026年向客户交付采用该工艺的芯片，其中苹果有望成为首个采用该技术的客户。
