【ITBEAR】台积电在半导体技术领域再次取得显著进展，成功在2nm制程上实现突破，引入创新的GAAFET晶体管技术。此项技术结合NanoFlex特性，为芯片设计带来全新灵活性。
相较于N3E工艺，N2工艺在维持相同功率时，性能可提升10-15%，或在同频率下降低功耗达25-30%。更令人注目的是，其晶体管密度增加了15%，标志着技术上的重大跨越。
然而，技术进步带来成本上升。预计每片300mm的2nm晶圆价格或超3万美元，显著高于现有3nm和4/5nm晶圆的价格。
为满足市场对2nm工艺的强烈需求，台积电计划在中国台湾多地扩建新厂。同时，新工艺将采用更多EUV光刻步骤，甚至可能引入双重曝光，进一步推高生产成本。
台积电已定于2025年下半年开始批量生产，并预计最快于2026年向客户交付N2工艺芯片。业界普遍预期，科技巨头苹果有望成为首个采用该先进工艺的客户。
