新存科技发布国产3D存储器：IO速度高达3200MT/s，性能再升级！

【ITBEAR】新存科技最近推出了自主研发的国产首款大容量3D存储器芯片NM101，该芯片以其64Gb的单芯片容量引人注目。采用尖端工艺与三维堆叠技术，这款芯片在技术上迈出了重要一步。

据新存科技官网公布的参数，NM101采用SLC存储单元，拥有高达3200MT/s的IO速度，并且支持广泛的运行温度范围。这款芯片基于新型材料电阻变化原理，不仅读写速度比同类产品快10倍以上，寿命也大幅延长。

新存科技表示，NM101可与控制芯片配合使用，为企业级和消费级高性能存储产品的开发提供强大支持，预示着国内存储器技术的重大突破。