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新存科技发布国产3D存储器:IO速度高达3200MT/s,性能再升级!

   时间:2024-10-08 09:19:25 来源:ITBEAR作者:苏婉清编辑:瑞雪 发表评论无障碍通道

【ITBEAR】新存科技最近推出了自主研发的国产首款大容量3D存储器芯片NM101,该芯片以其64Gb的单芯片容量引人注目。采用尖端工艺与三维堆叠技术,这款芯片在技术上迈出了重要一步。

据新存科技官网公布的参数,NM101采用SLC存储单元,拥有高达3200MT/s的IO速度,并且支持广泛的运行温度范围。这款芯片基于新型材料电阻变化原理,不仅读写速度比同类产品快10倍以上,寿命也大幅延长。

新存科技表示,NM101可与控制芯片配合使用,为企业级和消费级高性能存储产品的开发提供强大支持,预示着国内存储器技术的重大突破。

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