【ITBEAR】近期，中国在半导体产业的多个领域正加速推进自给自足的步伐，力求减少对外部供应链的依赖。这一战略涵盖了逻辑芯片制造、DRAM内存、HBM内存、NAND闪存，以及半导体设备和材料的研发与生产。
在逻辑芯片制造领域，尽管有观点认为中国与全球领先水平存在约十年的差距，但更多分析倾向于这一差距在3-5年左右。这一评估部分基于华为最新款手机的芯片性能。
DRAM内存方面，中国厂商长鑫已实现LPDDR5技术，相当于全球第六代水平，仅落后一代。然而，在更先进的HBM内存领域，中国据估计落后全球约十年，主要归因于起步较晚。
NAND闪存方面，长存曾推出全球首款200+层3D NAND闪存，技术领先。但因设备受限，目前国产化水平约为160层，与竞争对手存在两代差距。尽管如此，外媒指出，长存的技术基础并未落后，只是受限于设备。
半导体设备方面，中国落后全球约3-5年，而在光刻机技术上，差距被评估为至少15年以上，因为中国尚未掌握浸润式光刻机技术，而ASML已拥有超过20年的相关经验。
外媒总结认为，半导体产业极为复杂，全球尚无国家能实现完全自给。中国虽因外部压力刺激了创新，但在如此复杂的技术生态中，单打独斗的战略面临巨大挑战。中国要实现全产业链自给，仍有漫长道路要走。
