【ITBEAR】第十届国际第三代半导体论坛暨第二十一届中国国际半导体照明论坛将于11月18日至21日在苏州国际博览中心盛大召开。此次盛会汇聚了国内外顶尖院士专家，安排了数十场会议活动，邀请了数百位报告嘉宾，吸引了全产业链知名企业的参与。活动将全面覆盖行业工艺装备、原材料、技术、产品与应用等各个环节，整合产、学、研、用、政、金等多方面的资源，成为年度国际第三代半导体产业的“风向标”。
方正微电子作为第三代半导体领域的IDM企业，近期宣布了其在SiC产能方面的显著进展。据透露，公司的Fab1当前已实现每月9000片（6英寸）的SiC产能，预计到2024年底将达到每月1.4万片，2025年将具备每年16.8万片车规SiC MOS的生产能力，同时其GaN产能也达到了每月4000片。Fab2的8英寸SiC生产线计划于2024年底通线，长远规划产能为每月6万片。方正微电子当前已建成的车规SiC MOS生产能力，位居中国第一。
方正微电子的系列产品已广泛应用于新能源汽车的多个场景，包括主驱逆变控制器、OBC、DC/DC、空调压缩机以及充电桩等。特别是其车规1200V SiC MOS产品，已在新能源汽车主驱控制器上实现了规模应用。
方正微电子表示，其车规SiC MOS 1200V全系产品的性能已达到国际当前主流芯片水平。以1200V/16mΩ及1200V/20mΩ主驱控制器应用芯片为例，其核心性能关键指标如Vgs/Rds/Igs/Idss/Rth/Qg等，均可与国际高端新能源车上应用的SiC MOS产品相媲美，个别指标甚至领先，完全符合新能源汽车的应用需求。
另据了解，方正微电子的工规SiC MOS/ SiC SBD 1200V系列产品已于2023年一季度开始大规模量产，并广泛应用于光伏、储能、充电、UPS、工业电源等领域。截至目前，公司已出货SiC晶圆超过4万片。
