【ITBEAR】近日,红旗宣布成功研发出首款1700V超高压碳化硅功率器件样件,这一创新成果有望显著缓解用户在驾驶过程中的充电焦虑和里程焦虑问题。该功率器件的开发为未来适应“千伏”以上高压架构的应用,以及实现5分钟快速充电补能奠定了坚实的基础。
据悉,这款功率器件搭载了国产先进的1700V车规级超高压碳化硅芯片,并创新性地应用了高介电强度封装材料和高耐压封装结构等技术。测试结果显示,该器件的最高母线电压可达到1200V,这一技术突破将助力补能系统向超高压平台升级,极大缩短充电时间。
通过结合高密度元胞并联和短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联和高耐温银烧结工艺等先进技术,这款碳化硅功率器件在超高压平台下展现出了低损耗与高电流输出的综合性能优势。这不仅有效提升了动力系统的功率密度和效率,还确保了器件在高压、高温环境下的稳定高效运行。
对用户而言,这意味着更加澎湃强劲的驾驶体验,同时也在最大程度上节约了整车电耗,提升了续驶里程。