【ITBEAR】近日，红旗成功研发出首款1700V超高压碳化硅功率器件样件，这一创新之举有望显著缓解用户在驾驶过程中面临的充电和里程焦虑问题。该功率器件的研发成功，为未来“千伏”以上高压架构的实际应用以及实现5分钟快速补能奠定了坚实的基础。
据悉，这款功率器件搭载了国产先进的1700V车规级超高压碳化硅芯片，其技术亮点包括采用高介电强度封装材料和高耐压封装结构。测试结果显示，该器件的最高母线电压可达到1200V，显著提升了补能系统的性能，并有望大幅缩短充电时间。
通过结合高密度元胞并联、短沟道元胞结构设计、高通流铜夹互联以及高耐温银烧结工艺等先进技术，这款碳化硅功率器件在超高压平台下展现出了低损耗与高电流输出的综合性能优势。这些技术优势不仅提升了动力系统的功率密度和效率，还确保了器件在高压、高温环境下的稳定高效运行，为用户带来强劲的驾驶体验，同时最大程度地节约整车电耗，延长续驶里程。
总的来说，红旗这款1700V超高压碳化硅功率器件的研发成功，标志着我国在新能源汽车核心技术领域取得了重要突破，有望为行业带来革命性的变革。
