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三星3nm工艺良率低于客户期望,面临台积电竞争压力,半导体业务陷入危机

   时间:2024-11-07 19:50:38 来源:ITBEAR作者:沈瑾瑜编辑:瑞雪 发表评论无障碍通道

【ITBEAR】近日,韩媒曝光了三星电子在3nm工艺制程上的困境。据悉,三星的第1、2代3nm技术,即SF3E-3GAE与SF3-3GAP,其良率分别仅为60%和20%,远未达到客户期望的70%标准。这一现状使得三星在先进制程市场的竞争中,难以与台积电等对手抗衡,进而影响了其尖端逻辑工艺的投资回报。

三星DS部门作为具备IDM特质的企业,其存储器、系统LSI及Foundry业务本应形成互补优势。若自家设计的Exynos处理器能顺利由Foundry制造,并得到市场认可,将有望吸引更多客户采用三星的“交钥匙”解决方案,包括逻辑代工、HBM内存及先进封装技术。然而,目前这一良性循环尚未实现,反而使三星半导体业务陷入危机。

业界预计,在即将到来的年度管理层调整中,三星电子DS部门或将迎来高层的大换血。三大业务部门的负责人均面临被替换的可能,且此次调整可能早于往年常规的12月初进行。

今年5月,三星已意外地在年中完成了DS部门总负责人的更替,由全永贤接替庆桂显的职位。这一变动在当时便引发了业内的广泛关注。

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