近期，全球领先的半导体制造商台积电（TSMC）在其欧洲开放创新平台（OIP）论坛上，透露了一项令人瞩目的技术进展——超大版本的CoWoS封装技术即将完成认证。这一创新技术以其前所未有的中介层集成能力和高性能内存堆栈配置，吸引了业界的广泛关注。
据悉，这项技术的核心亮点在于能够支持多达9个光罩尺寸的中介层集成，并搭载12个高性能的HBM4内存堆栈。然而，这一技术突破的背后，隐藏着巨大的挑战。即便是5.5个光罩尺寸的配置，所需的基板面积也已超过100 x 100毫米，逼近了OAM 2.0标准尺寸的上限。若要实现9个光罩尺寸的极致集成，基板尺寸更是需要突破120 x 120毫米的大关，这无疑是对现有技术框架的极限挑战。
这一基板尺寸的变革，不仅深刻影响了系统设计的整体布局，也对数据中心的配套支持系统提出了更高的要求。特别是在电源管理和散热效率方面，需要更加精细的考量与优化，以确保系统的稳定运行和高效性能。
台积电方面表示，他们希望采用这一先进封装方法的公司，能够进一步利用其系统集成芯片（SoIC）技术，垂直堆叠逻辑芯片，从而大幅提升晶体管数量和整体性能。这一提议无疑为未来的芯片设计提供了新的思路和方向。
更引人注目的是，借助这一超大版本的CoWoS封装技术，台积电预计其客户将能够实现1.6nm芯片与2nm芯片的垂直堆叠。这一技术突破，不仅将推动芯片制造技术的进一步发展，也将为未来的高性能计算、人工智能等领域提供更加强大的硬件支持。
台积电还强调了其在先进封装技术领域的持续投入和创新。他们表示，将继续致力于推动芯片封装技术的边界，以满足未来市场对高性能、低功耗芯片的不断需求。
随着这一技术的逐步成熟和商业化应用，我们有理由相信，未来的芯片设计将更加复杂、高效，为各行各业的发展注入新的活力。
同时，这一技术突破也将对全球半导体产业产生深远的影响，推动产业链上下游企业的协同创新和技术进步。
